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2SK1113 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
120V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
±20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
3A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.33Ω~0.42Ω@Vgs=10v，ID=1.5A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.8V~2V@ Vds=10v,Id=1mA |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
20W |
| Description & Applications |
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| 描述与应用 |
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在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 2SK1112 |
K1112 |
TOSHIBA |
05+ |
TO-252/D-PAK |
700 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| 2SK1112 |
K1112 |
TOSHIBA |
05+ |
TO-252/D-PAK |
200 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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| 2SK1113 |
|
TOSHIBA |
05+ |
TO-252/D-PAK |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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