2SK1151S K1151 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
450V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
30V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
1.5A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
3.5Ω/Ohm @1A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
2-3V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
20W |
| Description & Applications |
Silicon N-Channel MOS FET High speed power switching Features Silicon N-Channel MOS FET Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator and DC-DC converter |
| 描述与应用 |
硅N沟道MOS FET 高速功率开关 特性 硅N沟道MOS FET 低导通电阻 高速开关 低驱动电流 无二次击穿 适用于开关稳压器和DC-DC转换 |
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