2SK1284-Z-E1 K1284 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
100V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
3A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.26Ω/Ohm @2A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1-2.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR Low on-state resistance Low Ciss Css=500 pF TYP Built-in G-S gate protection diode |
| 描述与应用 |
MOS场效应功率晶体管 低通态电阻 低西斯CSS=500 pF（典型值） 内置G-S栅极保护二极管 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
