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型号： |
2SK1299 |
| 标记/丝印/代码/打字： |
K1299 |
| 厂家： |
HITACHI |
| 封装： |
TO-252/D-PAK |
| 批号： |
05+ |
| 库存数量： |
1550 |
| 所属分类： |
场效应管FET
MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
| 技术文档PDF： |
在线阅读  |
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2SK1299 K1299 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
100V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
3A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.25Ω/Ohm @2A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1-2V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
20W |
| Description & Applications |
Silicon N-Channel MOS FET High speed power switching Features SILICON N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR Low on-state resistance High speed switching 4V gate drive device-can be driven from 5V source Suitable for motor drive,DC-DC converter,power switch and solenoid drive |
| 描述与应用 |
硅N沟道MOS FET 高速功率开关 特性 硅N沟道MOS场效应功率晶体管 低通态电阻 高速开关 4V栅极驱动器可以驱动从5V电源 适用于电机驱动，DC-DC转换器，电源开关和螺线管驱动 |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 2SK1215 |
IGE |
HITACHI |
05+ |
SOT-323/SC-70/CMPAK |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| 2SK1228 |
4V |
Panasonic |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
3000 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| 2SK1228 |
4V |
Panasonic |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
500 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| 2SK1273 |
NA |
NEC |
4r07/09nopb |
SOT-89/SC-62 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| 2SK1273 |
NA |
NEC |
05+ |
SOT-89/SC-62 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| 2SK1284-Z-E1 |
K1284 |
NEC |
05+ |
TO-252/D-PAK |
657 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| 2SK1290 |
K1290 |
NEC |
05+ |
TO-252/D-PAK |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| 2SK1299 |
K1299 |
HITACHI |
05+ |
TO-252/D-PAK |
1550 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
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