2SK1579 DY 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
12V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
7V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
2A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.25Ω/Ohm @1A,4V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.4-1.4V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
Silicon N Channel MOS FET High speed power switching Features High speed power switching Low on-resistance High speed switching Suitable for low voltage operation |
| 描述与应用 |
硅N沟道MOS FET 高速功率开关 特性 高速功率开关 低导通电阻 高速开关 适用于低电压操作 |
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