2SK1697EY EY 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
500mA/0.5A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
1.3Ω/Ohm @300mA,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1-2V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
Silicon N-Channel MOS FET High speed power switching application Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device - - - can be driven from 5 V source. Suitable for DC – DC converter, motor drive, power switch, solenoid drive |
| 描述与应用 |
硅N沟道MOS FET 高速功率开关应用 低导通电阻 高速开关 低驱动电流 4 V栅极驱动装置---可从5 V源驱动。 适用于DC - DC转换器，马达驱动器，电源开关，电磁驱动器 |
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