2SK1875-BL RBL 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
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| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
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| 最大漏极电流Id
Drain Current |
32mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
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| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
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| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
100mW/0.1W |
| Description & Applications |
TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON A CHANNEL JUNCTION TYPE Features Silicon N-Channel Junction FET HIGH FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATION AM HIGH FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATION AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATION HIGH Yfs LOW Ciss |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管的硅沟道结型 特性 硅N沟道结型场效应管 高频放大器的应用 AM高频放大器的应用 音频放大器应用 高Yfs 低Ciss |
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