2SK2040-Z-E1 K2040 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
600V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
30V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
2A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
4.2Ω/Ohm @1A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
2.0-4.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
Features MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE Low on-state resistance Low Ciss Built-in G-S gate protecion diode High avalanche capability ratings |
| 描述与应用 |
特性 MOS场效应功率晶体管 开关N沟道功率MOS FET工业用途 低通态电阻 低Ciss 内置G-S栅的法律保护二极管 高雪崩能力评级 |
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