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2SK2040-Z-E1
 型号：  2SK2040-Z-E1
 标记/丝印/代码/打字：  K2040
 厂家：  NEC
 封装：  TO-252/D-PAK
 批号：  05+
 库存数量：  1800
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK2040-Z-E1 K2040 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 600V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 30V
最大漏极电流Id Drain Current 2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 4.2Ω/Ohm @1A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 2.0-4.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 1W
Description & Applications Features MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE Low on-state resistance Low Ciss Built-in G-S gate protecion diode High avalanche capability ratings
描述与应用 特性 MOS场效应功率晶体管 开关N沟道功率MOS FET工业用途 低通态电阻 低Ciss 内置G-S栅的法律保护二极管 高雪崩能力评级
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