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2SK2090
 型号:  2SK2090
 标记/丝印/代码/打字:  G22
 厂家:  NEC
 封装:  SOT-323/SC-70
 批号:  05+27KNOPB
 库存数量:  33000
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK2090 G22 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 50V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 7V
最大漏极电流Id Drain Current 100mA/0.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 15Ω/Ohm @10mA,4V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.7-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 150W
Description & Applications MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING The 2SK2090 is an N-channel vertical MOS FET. Because it can be driven by a voltage as low as 2.5 V and it is not necessary to consider a drive current, this FET is ideal as an actuator for low-current portable systems such as headphone stereos and video cameras. Features MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Gate can be driven by 2.5 V Because of its high input impedance, there’s no need to consider drive current
描述与应用 MOS场效应晶体管 N沟道MOS FET高速开关 2SK2090是一个N沟道垂直MOS FET。因为 它可以由一个电压驱动低至2.5 V,这是不 必要考虑驱动电流,这FET是理想的作为 执行器的低电流的便携式系统,如耳机 音响和摄像机。 特性 MOS场效应晶体管 栅极可以由2.5 V驱动 由于其高输入阻抗就没有必要考虑驱动电流
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