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2SK2113
 型号：  2SK2113
 标记/丝印/代码/打字：  YY
 厂家：  HITACHI
 封装：  SOT-343/CMPAK-4/SC70-4
 批号：  05+
 库存数量：  1200
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK2113 YY 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 3.5V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 3V
最大漏极电流Id Drain Current 60mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.3-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 100mW/0.1W
Description & Applications UHF low noise amplifier Features UHF low noise amplifier HEMT structure Excellent low noise characteristics NF=0.8dB typ (f=900MHz) ? High gain Ga=18dB typ (f=900MHz) ? Small package (CMPAK-4)
描述与应用 超高频低噪声放大器 特性 超高频低噪声放大器 HEMT结构 优越的低噪点特性 NF=0.8分贝典型值（F =900MHz） ?高增益 GA=18分贝典型值（F =900MHz） ?小包装（CMPAK - 4）
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