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2SK2158
 型号:  2SK2158
 标记/丝印/代码/打字:  G23
 厂家:  NEC
 封装:  SOT-23/SC-59
 批号:  05+NOPB
 库存数量:  660
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK2158 G23 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 50V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 7V
最大漏极电流Id Drain Current 100mA/0.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 16Ω/Ohm @10mA,2.5V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.5-1.1V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING The 2SK2158 is an N-channel vertical type MOS FET featuring an operating voltage as low as 1.5 V. Because it can be driven on a low voltage and it is not necessary to consider driving current, the 2SK2158 is suitable for use in low-voltage portable systems such as headphone stereo sets and camcorders Features N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING Capable of drive gate with 1.5 V Because of high input impedance, there is no need to consider driving current Bias resistance can be omitted, enabling reduction in total number of parts
描述与应用 MOS场效应晶体管 N沟道MOS FET 高速开关 2SK2158是一个N沟道垂直型MOS场效应管,具有工作电压低至1.5 V。 由于它可以一个低电压驱动,这是没有必要的,以考虑 2SK2158是驱动电流,适合用于在低电压 立体声耳机套和摄像机等便携式系统 特性 N沟道MOS FET高速开关 能够用1.5 V驱动门 由于输入阻抗高,也没有必要考虑驱动电流 偏压电阻可以省略,能够减少部分总数
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 相关型号列表

型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
2SK2151 KI SANYO 05+ SOT-89/SC-62/PCP 1300 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
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2SK2159 NW NEC 05+1rnopb SOT-89/SC-62 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
2SK2159 NW NEC 05+ SOT-89/SC-62 250 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看

 

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