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2SK2315
 型号:  2SK2315
 标记/丝印/代码/打字:  TY
 厂家:  HITACHI
 封装:  SOT-89/UPAK
 批号:  05+NOPb
 库存数量:  1000
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK2315 TY 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.35Ω/Ohm @1A,4V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.5-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 1W
Description & Applications Silicon N-Channel MOS FET High speed power switching Features Silicon N-Channel MOS FET High speed power switching application Low on-resistance High speed switching Low drive current 2.5 V gate drive device can be driven from 3 V source Suitable for DC-DC converter, motor drive, power switch, solenoid drive
描述与应用 N沟道MOS FET 高速功率开关 特性 硅N沟道MOS FET 高速功率开关应用 低导通电阻 高速开关 低驱动电流 2.5 V栅极驱动器可驱动从3 V源 适用于DC-DC转换器,电机驱动,电源开关,螺线管驱动
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