2SK2415-Z-E1 K2415 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
60V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
8A |
源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.07Ω/Ohm @4A,10V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
1-2V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
1W |
Description & Applications |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDESCRIPTION The 2SK2414 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high voltage switching applications.DUSTRIAL USE Features MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Low On-Resistance RDS(on)1 = 70 m? MAX. (@ VGS = 10 V, ID = 5.0 A) RDS(on)2 = 95 m? MAX. (@ VGS = 4 V, ID = 5.0 A) ? Low Ciss Ciss = 840 pF TYP. ? Built-in G-S Gate Protection Diodes ? High Avalanche Capability Ratings |
描述与应用 |
MOS场效应晶体管 SWITCHING N-CHANNEL POWER的MOS FET INDESCRIPTION 2SK2414 N沟道MOS场效应晶体管设计 为高电压开关applications.DUSTRIAL使用 特性 MOS场效应晶体管 低导通电阻 的RDS(on)1 =70mΩ最大。 (@ VGS=10V,ID= 5.0 A) 的RDS(on)2 =95mΩ最大。 (@ VGS= 4 V,ID= 5.0 A) ?低连续供墨系统连续供墨系统= 840 PF TYP。 ?内置的G-S栅极保护二极管 ?高雪崩能力额定值 |
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