2SK2463 kc 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
2A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.3Ω/Ohm @1A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1-2.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
Small switching (60V, 2A) Silicon N-channel MOSFET Features Silicon N-channel MOSFET Low on-resistance Fast switching speed Wide SOA (safe operating area) Low-voltage drive (4V) Easily designed drive circuits Easy to parallel |
| 描述与应用 |
小开关（60V，2A） 硅N沟道MOSFET 特性 硅N沟道MOSFET 低导通电阻 开关速度快 宽SOA（安全工作区） 低电压驱动（4V） 容易驱动电路设计 易于并行 |
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