2SK2925STR K2925 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
10A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.06Ω/Ohm @5A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1.5-2.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
20W |
| Description & Applications |
Features Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Low on-resistance RDS=0.060 ? typ. 4V gate drive device can be driven from 5V source |
| 描述与应用 |
特性 硅N沟道MOS FET 高速电源开关 低导通电阻 RDS=0.060Ω典型。 4V栅极驱动器可以驱动自5V电源 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
