2SK2973 K1 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
17V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
10V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
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| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
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| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1.2-1.8V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.5W |
| Description & Applications |
MITSUBISHI RF POWER MOS FET DESCRIPTION 2SK2973 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF/UHF power amplifiers applications. Features MITSUBISHI RF POWER MOS FET High power gain:Gpe313dB@VDD=9.6V,f=450MHz,Pin=17dBm High efficiency:55% typ Source case type SOT-89 package(connected internally to source) |
| 描述与应用 |
三菱射频功率MOS FET 说明 2SK2973是MOS FET型晶体管专门设计用于 VHF/ UHF功率放大器应用。 特性 三菱射频功率MOS FET 高功率增益：GPE313分贝@ VDD=9.6V，F =450MHz的，针=17dBm的 高效率：55％（典型值） 源案件类型SOT-89封装（内部连接到源） |
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