2SK3019 KN 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
100mA/0.1A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
5Ω/Ohm @10mA,4V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.8-1.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
2.5V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOSFET Features 2.5V Drive Nch MOS FET Low on-resistance Fast switching speed Low voltage drive (2.5V) makes this device ideal for portable equipment Drive circuits can be simple Parallel use is easy |
| 描述与应用 |
2.5V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOSFET 特性 2.5V驱动N沟道MOS FET 低导通电阻 开关速度快 低电压驱动（2.5V）使该器件理想用于便携式设备 驱动电路可以很简单 并行使用容易 |
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