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型号： |
2SK3064 |
| 标记/丝印/代码/打字： |
2D |
| 厂家： |
Panasonic |
| 封装： |
SOT-323/SC-70 |
| 批号： |
05+ |
| 库存数量： |
18000 |
| 所属分类： |
场效应管FET
MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
| 技术文档PDF： |
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2SK3064 2D 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
100mA/0.1A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
30Ω/Ohm @10mA,5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1-2V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
Silicon MOS FETs (Small Signal) Silicon N-Channel MOS FET Secondary battery pack (Li ion battery, etc.) For switching Features Silicon N-Channel MOS FET Secondary battery pack (Li ion battery, etc.) For switching High-speed switching S-mini type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion through the tape/magazine packing. Low-voltage drive (Vth: ?1 to 2V) Low Ron |
| 描述与应用 |
硅MOS场效应管（小信号） 硅N沟道MOS FET 对于开关的二次电池（锂离子电池等） 特性 硅N沟道MOS FET 二次电池（锂离子电池等） 用于开关 高速开关 S-迷你型包装，使瘦身套和通过自动插入磁带/盒包装。 低电压驱动（VTH：-1至2V） 低Ron |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 2SK3064 |
2D |
Panasonic |
05+ |
SOT-323/SC-70 |
4750 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| 2SK3064 |
2D |
Panasonic |
05+ |
SOT-323/SC-70 |
18000 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| 2SK3065 |
KE |
ROHM |
07nopb |
SOT-89/SC-62/MPT3 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| 2SK3065 |
KE |
ROHM |
05+ |
SOT-89/SC-62/MPT3 |
100 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| 2SK3064GOLSO |
2D |
Panasonic |
08+NOPB |
SOT-323/SC-70 |
12000 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
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