2SK3225(1)-Z-E1 K3225 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
34A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.013Ω/Ohm @17A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1-2V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
2W |
| Description & Applications |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE Features SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE Low On-State Resistance RDS(on)1 = 18 m? MAX (VGS = 10 V, ID = 17 A) RDS(on)2 = 27 m? MAX(VGS = 4.0 V, ID = 17 A) Low Ciss : Ciss = 2100 pF TYP Built-in Gate Protection Diode TO-251/TO-252 package |
| 描述与应用 |
MOS场效应晶体管 开关N沟道功率MOS FET工业用途 特性 开关 N-沟道功率MOS FET 工业用途 低导通状态电阻 RDS（on）1= 18mΩ最大（VGS= 10 V，ID=17 A） RDS（on）2=27mΩ最大（VGS=4.0 V，ID=17 A） 西塞低：西塞=2100 pF（典型值） 内置门保护二极管 TO-251/TO-252包装 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
