2SK3475 wb 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
5V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
1A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
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| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1.9-2.9V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
3W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type VHF- and UHF-band Amplifier Applications Features Silicon N Channel MOS Type VHF- and UHF-band Amplifier Applications Output power: PO = 630 mW (min) Gain: GP = 14.9dB (min) Drain efficiency: ηD = 45% (min) |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 VHF和UHF频段放大器的应用 特性 硅N沟道MOS型 VHF和UHF频段放大器的应用 输出功率：PO= 630毫瓦（最小） 增益：GP=14.9分贝（分） 漏极效率：ηD=45％（分钟） |
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