2SK3492 K3492 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
8A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.115Ω/Ohm @4A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1.2-2.6V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
N-channel silicon MOSFET general -purpose switching device application Features General-purpose Switching device Applications Low ON-resistance Ultrahigh-speed switching 4Vdrive |
| 描述与应用 |
N沟道硅MOSFET 通用开关设备中的应用 特性 通用开关设备应用 低导通电阻 超高速开关 4V驱动器 |
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