2SK620 3N 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
50V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
100mA/0.1A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
50Ω/Ohm @20mA,5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1.5-3.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
Silicon MOS FETs (Small Signal) Silicon N-Channel MOS FET For switching Features Silicon N-Channel MOS FET For switching High-speed switching Mini-type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion through the tape/magazine packing |
| 描述与应用 |
硅MOS场效应管（小信号） 硅N沟道MOS FET开关 特性 硅N沟道MOS FET 用于开关 高速开关 迷你型包装，让瘦身套和通过自动插入磁带/盒包装 |
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