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型号: |
2SK690 |
标记/丝印/代码/打字: |
LR |
厂家: |
Panasonic |
封装: |
SOT-89 |
批号: |
05+ |
库存数量: |
0 |
所属分类: |
场效应管FET MESFET-N沟道MESFET N-Channel |
技术文档PDF: |
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2SK690 LR 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
10V |
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage |
-6V |
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current |
320mA-600mA |
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage |
-6V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
1W |
Description & Applications |
High Frequency FETs.
GaAs N-Channel MES FET.
For UHF medium output power amplification.
Features
. Large collector dissipation PC.
. Mini-power type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion through the tape/magazine packing. |
描述与应用 |
高频场效应管, 砷化镓N沟道MES场效应管 ,用于于超高频中等输出功率放大, 大集电极耗散PC ,小功率型封装,通过带/盒包装允许缩减集的大小和自动插入. |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
2SK690 |
L |
Panasonic |
05+ |
SOT-89 |
5000 |
场效应管FET-MESFET-N沟道MESFET N-Channel |
查看 |
2SK690 |
LR |
Panasonic |
05+ |
SOT-89 |
0 |
场效应管FET-MESFET-N沟道MESFET N-Channel |
查看 |
2SK690 |
M |
Panasonic |
05+ |
SOT-89 |
500 |
场效应管FET-MESFET-N沟道MESFET N-Channel |
查看 |
2SK690 |
L |
Panasonic |
05+ |
SOT-89 |
3200 |
场效应管FET-MESFET-N沟道MESFET N-Channel |
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2SK690-M |
3M |
Panasonic |
05+ |
SOT-89 |
500 |
场效应管FET-MESFET-N沟道MESFET N-Channel |
查看 |
2SK690-Q |
LQ |
Panasonic |
05+ |
SOT-89 |
500 |
场效应管FET-MESFET-N沟道MESFET N-Channel |
查看 |
2SK690-Q |
LQ |
Panasonic |
05+ |
SOT-89 |
1000 |
场效应管FET-MESFET-N沟道MESFET N-Channel |
查看 |
2SK690-R |
LR |
Panasonic |
05+ |
SOT-89 |
600 |
场效应管FET-MESFET-N沟道MESFET N-Channel |
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