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3LN01M-TL
 型号:  3LN01M-TL
 标记/丝印/代码/打字:  
 厂家:  SANYO
 封装:  SOT-323/SC-70
 批号:  9K05+nopb
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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3LN01M-TL  的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 10V
最大漏极电流Id Drain Current 150mA/0.15A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 2.9Ω/Ohm @80mA,4V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.4-1.3V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Silicon N-Channel MOS FET Ultrahigh-Speed Switching Applications Low ON resistance Ultrahigh-speed switching 2.5V drive
描述与应用 N-沟道硅MOSFET 超高速开关应用 特性 硅N沟道MOS FET 超高速开关应用 低导通电阻 超高速开关 2.5V驱动
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