3SK126-O UC 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
15V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
9V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
30mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
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| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1-1/-0.5-1 |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON A CHANNEL DUAL GATE MOS TYPE Features Silicon N-Channel MOS FET TV TUNER,VHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS TV TUNER VHF MIXER APPLICATIONS Superior cross modulation performance Low reverse transfer capacitance Low noise figure |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管的硅频道双栅MOS型 特性 硅N沟道MOS FET 电视调谐器，甚高频射频放大器应用 电视调谐器甚高频混频器应用 高级交叉调制性能 低反向传输电容 低噪声系数 |
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