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3SK230
 型号：  3SK230
 标记/丝印/代码/打字：  U1B
 厂家：  NEC
 封装：  SOT-143
 批号：  05+
 库存数量：  2095
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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3SK230 U1B 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 18V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current 25mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0-1.0/0.6-1.6
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR RF AMP. FOR VHF/CATV TUNER N-CHANNEL SILICON DUAL-GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD Features TheCharacteristic of Cross-Modulation is good. CM = 108 dBμ (TYP.) @f = 470 MHz, GR = ?30 dB ?Low Noise Figure NF1 = 2.2 dB TYP.(@ = 470 MHz) NF2 = 0.9 dB TYP. (@ = 55 MHz) ?High Power Gain GPS = 19.5 dB TYP. (@ = 470 MHz) ?Enhancement Typ. ?Suitable for use as RF amplifier in CATV tuner. ?Automatically Mounting: Embossed Type Taping ?Small Package: 4 Pins Mini Mold Package. (SC-61)
描述与应用 MOS场效应晶体管 射频放大器。对于VHF/ CATV调谐器 N-沟道硅双栅MOS场效应晶体管 4引脚MINI模具 交叉调制特性好。 CM =108dBμ（典型值）@ F =470兆赫，GR=-30分贝 ?低噪声系数NF1=2.2 dB（典型值）（@= 470兆赫） NF2=0.9 dB典型值。 （@= 55兆赫） ?高功率增益GPS=19.5 dB典型值。 （@=470兆赫） ?增强典型。 ?适合用作RF放大器CATV调谐器。 ?自动安装：压花类型大坪 ?小包装：4针迷你模具包装
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 相关型号列表
型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
3SK230 U1B NEC 05+ SOT-143 2095 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
3SK230 U1B NEC 06+ SOT-143 66000 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
3SK232 UO TOSHIBA 05+ SOT-143/SOT-24/SC-61 6000 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
3SK232 UO TOSHIBA 05+NOPB1K SOT-143/SOT-24/SC-61 1800 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
3SK233 XW HITACHI 05+ SOT-143/MPAK-4 300 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
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3SK239AXR XR HITACHI 05+ SOT-143/MPAK-4 0 场效应管FET-MESFET-N沟道MESFET N-Channel 查看
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