3SK296ZQ-TL-E ZQ 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
12V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
25mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
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| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.5-0.5/0-1V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF amplifier Features ?Low noise figure. NF = 2.0 dB typ. at f = 900 MHz ?Capable of low voltage operation |
| 描述与应用 |
硅N沟道双栅MOS FET UHF RF放大器 ?低噪声系数。 NF= 2.0 dB（典型值）在f =900 MHz的 ?能够低电压操作 |
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