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型号： |
H5N5006 |
| 标记/丝印/代码/打字： |
5N5006 |
| 厂家： |
RENESAS |
| 封装： |
TO-252/D-PAK |
| 批号： |
05+ |
| 库存数量： |
650 |
| 所属分类： |
场效应管FET
MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
| 技术文档PDF： |
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H5N5006 5N5006 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
500V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
30V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
3A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
3.0Ω/Ohm 1.5A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
3-4.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
30W |
| Description & Applications |
? Low on-resistance: RDS(on) = 2.5 ? typ. ?Low leakage current: IDSS = 1 μA max. (at VDS = 500 V) ?High speed switching: tf = 15 ns typ. (at VGS = 10 V, VDD ? 250 V, ID= 1.5 A) ? Low gate charge: Qg = 14 nC typ. (at VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 3A) ? Avalanche ratings |
| 描述与应用 |
?低电阻RDS（ON）=2.5Ω（典型值）。 ?低漏电流IDSS=1μA最大。 （VDS=500 V） ?高速开关：TF=15纳秒典型。 （VGS=10 V，VDD?250 V，ID=1.5 A） ?低栅极电荷：QG=14 NC（典型值）。 （VDD= 400 V，VGS=10V，ID= 3 A） ?雪崩额定值 |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| H5N5006 |
5N5006 |
RENESAS |
05+ |
TO-252/D-PAK |
650 |
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