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6HP04MH QB 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-0.12A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
5.1Ω @-60mA,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.2--2.6V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
480mW/0.48W |
| Description & Applications |
Features ? Low ON-resistance. ? Ultrahigh-speed switching. ? 4V drive. |
| 描述与应用 |
?低导通电阻。 ?超高速开关。 ?4V驱动器 |
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在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 6HP04MH |
QB |
SANYO |
06+NOPB |
SOT-323/SC70/MCP |
1100 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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