AF2302NWLA 026A 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
10mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.65Ω/Ohm @3.6A,4.0V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1.2V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The advanced power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. Features Simple Gate Drive 2KV ESD Rating (Per MIL-STD-883D) Small Package Outline (SOT323) |
| 描述与应用 |
N沟道增强模式功率MOSFET 描述 先进的功率MOSFET提供设计师 快速切换的最佳组合，低 导通电阻和成本效益。 简单的栅极驱动器 2KV ESD额定值（每MIL-STD-883D） 小型封装（SOT323 |
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