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AO3416
 型号:  AO3416
 标记/丝印/代码/打字:  AGSB
 厂家:  AOS
 封装:  SOT-23/SC-59
 批号:  07+ROHS
 库存数量:  3000
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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AO3416 AGSB 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current 6.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 22Ω/Ohm @4.5A,6.5V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 1V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.4W
Description & Applications General Description The AO3400 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON)low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO3400 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO3400L is a Green Product ordering option. AO3400 and AO3400L are electrically identical.
描述与应用 AO3400采用先进的沟槽技术 提供优良的RDS(ON) 低栅极电荷和 操作与栅极电压低至2.5V。这 装置是适合用于作为负载开关或PWM 的应用程序。标准产品AO3400是无铅 (符合ROHS&索尼259规格)。 AO3400L 是一种绿色产品订购选项。 AO3400和 AO3400L是电相同
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