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AO6408
 型号:  AO6408
 标记/丝印/代码/打字:  D8R15
 厂家:  AOS
 封装:  SOT-163/SOT23-6/TSOP6
 批号:  05+
 库存数量:  200
 所属分类:  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel
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AO6408 D8R15 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current 8.8A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 25.6m?@ VGS = 1.8V,ID =4A
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.5~1V
耗散功率Pd Power Dissipation 2W
Description & Applications N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6408 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It offers operation over a wide gate drive range from 1.8V to 12V. It is ESD protected. This device is suitable for use as a load switch. Standard product AO6408 is Pbfree (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6408L is a Green Product ordering option. AO6408 and AO6408L are electrically identical.
描述与应用 N沟道增强型场效应晶体管 概述 AO6408采用先进沟道技术,提供优良的RDS(ON)和栅极电荷低。它提供了运行在很宽的范围从1.8V到12V的栅极驱动。这是ESD保护。这个装置是适合用于作为负载开关。标准产品AO6408是无铅认证(符合ROHS&索尼259规格)。 AO6408L是一种绿色产品订购选项。 AO6408和AO6408L是电动相同。
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 相关型号列表

型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
AO6400 DO AOS 05+NOPB1K SOT-163/SOT23-6/TSOP6 1800 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel 查看
AO6401 D1 AOS 05+ SOT-163/SOT23-6/TSOP6 500 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel 查看
ao6401 d1 AOS 02+ SOT-163/SOT23-6/TSOP6 0 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel 查看
AO6402 D2ZD AOS 05/07NOPB SOT-23/SC-59 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
AO6402 D2 AOS 11+nopb2400 SOT-23/SC-59 10300 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
AO6405 D5 AOS 05+ SOT-163/SOT23-6/TSOP6 200 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel 查看
AO6408 D8R15 AOS 05+ SOT-163/SOT23-6/TSOP6 200 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel 查看

 

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