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AP9916H
 型号：  AP9916H
 标记/丝印/代码/打字：  9916H
 厂家：  RALTR
 封装：  TO-252/D-PAK
 批号：  05+
 库存数量：  200
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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AP9916H 9916H 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 18V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current 3.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.025Ω/Ohm,@6A,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.5-1V
耗散功率Pd Power Dissipation 50W
Description & Applications Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-252 package is universally preferred for all commercialindustrial surface mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC converters. The through-hole version (AP70T03GJ) are available for low-profile applications.
描述与应用 高级电源 N沟道增强模式 功率MOSFET 先进的功率MOSFET提供从APEC 设计师与快速切换的最佳组合， 坚固耐用的设备设计，低导通电阻和成本效益。 该TO-252包装普遍首选的所有commercialindustrial表面贴装应用，适用于低电压 诸如DC/ DC转换器的应用程序。通孔版本（AP70T03GJ）可用于低配置应用程序
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