BC846PN 10 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
80V/-80V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
65V/-65V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100mA/-100mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
250MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~450 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
200mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
250mW |
| Description & Applications |
Features ? NPN/PNP Silicon AF Transistor Arrays ? For AF input stage and driver applications ? High current gain ? Low collector-emitter saturation voltage ? Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP transistor in one package ? Pb-free (RoHS compliant) package1) ? Qualified according AEC Q101 |
| 描述与应用 |
特点 ?NPN / PNP硅AF晶体管阵列 ?对于AF输入级和驱动器应用 ?高电流增益 ?低集电极 - 发射极饱和电压 ?两个（电流）的内部分离NPN/ PNP晶体管在一个包 ?无铅（符合RoHS）包1） ?符合AEC Q101 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
