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BC859CW
 型号：  BC859CW
 标记/丝印/代码/打字：  4ct
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-323/SC-70
 批号：  10+ROHS
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  PNP
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BC859CW 4ct 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) ?30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) ?30V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) ?100mA/-0.1A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 100MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 420~800
管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage ?650mV/-0.65V
耗散功率Pc PoWer Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications PNP general purpose transistors FEATURES ? Low current (max. 100 mA) ? Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS ? Low noise stages in tape recorders, hi-fi amplifiers and other audio-frequency equipment.
描述与应用 PNP通用晶体管 特点 ?低电流（最大100 mA） ?低电压（最大45 V）。 应用 ?低噪音录音机，音响放大器和其他声频设备阶段。
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