BCP53TA BCP53 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-100V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?80V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
125MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
40~250 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?500mV/-0.5V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
2W |
| Description & Applications |
SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR FEATURES * Suitable for AF drivers and output stages * High collector current and Low VCE(sat) |
| 描述与应用 |
PNP硅平面中等功率晶体管 特点 *适用于自动对焦驱动器和输出阶段 *高集电极电流和低VCE（SAT） |
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