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BCR08PN
 型号:  BCR08PN
 标记/丝印/代码/打字:  WF
 厂家:  INFINEON
 封装:  SOT-363/SC-88/SC70-6
 批号:  05+nopb
 库存数量:  0
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合带阻尼三极管Complex Bipolar Digital Transistor
    NPN+PNP
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BCR08PN WF 的参数

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V/-50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V/-50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA/-100mA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 2.2KΩ/Ohm
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 47KΩ/Ohm
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio 0.047
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 2.2KΩ/Ohm
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 47KΩ/Ohm
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio 0.047
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 70
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 170MHz
耗散功率Pc Power Dissipation 250mW/0.25W
Description & Applications Features ?NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array ?Switching circuit, inverter, interface circuit,driver circuit ?Two (galvanic) internal isolated NPN/PNPTransistors in one package ?Built in bias resistor (R1=2.2k , R2=47k )
描述与应用 特点 ?NPN / PNP硅数字晶体管阵列 ?开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路 ?(电流)的内部分离NPN/ PNPTransistors在一个包 ?内置偏置电阻(R1=2.2K,R2=47K?)
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