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BCR158
 型号：  BCR158
 标记/丝印/代码/打字：  WI
 厂家：  SIEMENS
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  20
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  带阻尼PNPPNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
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BCR158 WI 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) -50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -100mA/-0.1A
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 2.2KΩ/Ohm
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 47KΩ/Ohm
电阻比(R1/R2) Resistance Ratio 0.047
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 70
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 200MHz
耗散功率Pc Power Dissipation 0.2W/200mW
Description & Applications Features ? PNP Silicon Digital Transistor ? Switching circuit, inverter, interface circuit,driver circuit ? Built in bias resistor (R1=2.2k?, R2=47k?) ? For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package
描述与应用 特点 ?PNP硅数字晶体管 ?开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路 ?内置偏置电阻（R1=2.2KΩ，R2=47KΩ） ?对于6-PIN封装：2（电流）的内部 ???具有良好的匹配隔离晶体管 ???在一个封装中
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