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BCR191W
 型号:  BCR191W
 标记/丝印/代码/打字:  WO
 厂家:  INFINEON
 封装:  SOT-323/SC-70
 批号:  05+
 库存数量:  400
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  带阻尼PNPPNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
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BCR191W WO 的参数

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) -50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -100mA/-0.1A
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 22KΩ/Ohm
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 22KΩ/Ohm
电阻比(R1/R2) Resistance Ratio 1
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 50
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 200MHz
耗散功率Pc Power Dissipation 0.25W/250mW
Description & Applications Feature ? PNP Silicon Digital Transistor ? Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit ? Built in bias resistor (R1= 22k? , R2= 22k?) ? For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package
描述与应用 特点 ?PNP硅数字晶体管 ?开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路 ?内置偏置电阻(R1=22KΩ,R2=22KΩ) ?对于6-PIN封装:2(电流)的内部具有良好的匹配隔离晶体管在一个封装中
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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