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BCR35PN
 型号：  BCR35PN
 标记/丝印/代码/打字：  WU
 厂家：  INFINEON
 封装：  SOT-363/SC-88/SC70-6
 批号：  06rohs
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合带阻尼三极管Complex Bipolar Digital Transistor
    NPN+PNP
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BCR35PN WU 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V/-50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V/-50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA/-100mA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 10KΩ/Ohm
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 47KΩ/Ohm
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio 0.21
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 10KΩ/Ohm
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 47KΩ/Ohm
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio 0.21
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 70
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 150MHz
耗散功率Pc Power Dissipation 250mW/0.25W
Description & Applications Features ?NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array ?Switching circuit, inverter, interface circuit,driver circuit ?Two (galvanic) internal isolated NPN/PNPTransistors in one package ?Built in bias resistor (R1=10k , R2=47k )
描述与应用 特点 ?NPN / PNP硅数字晶体管阵列 ?开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路 ?（电流）的内部分离NPN/ PNPTransistors在一个包 ?内置偏置电阻（R1=10K，R2=47K）
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