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BCV26
 型号：  BCV26
 标记/丝印/代码/打字：  FD
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  0412NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  达林顿Darlington
    PNP
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BCV26 FD 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -40V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-EmitterVoltage(VCEO) -30V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -500mA/-0.5A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 220MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 20000 @ -5V,-0.1A
管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage -1V
耗散功率Pc Power Dissipation 250mW/0.25W
Description & Applications ? High current (max. 500 mA) ? Low voltage (max. 60 V) ? Very high DC current gain (min. 10000). ? Where very high amplification is required. ? PNP Darlington transistor in a SOT23 plastic package. ? NPN complements: BCV27.
描述与应用 ? 高电流（最大500毫安） ? 低电压（最大60 V） ? 极高的直流电流增益（最小值10000）。 ? 非常高的放大是必需的。 ? PNP达林顿晶体管在SOT23塑料包装。 ? NPN补充：BCV27。
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 相关型号列表
型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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