BCX42 DK 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
125V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
125V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
150MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
25~63 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
900mV/0.9V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
330mW/0.33W |
| Description & Applications |
PNP Silicon AF an Swiching Transistors For general AF applications High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BCX41, BSS64 (NPN) |
| 描述与应用 |
PNP硅AF Swiching的晶体管 高击穿电压 低集电极 - 发射极饱和电压 互补类型：BCX41 BSS64（NPN） |
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