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BF1100WR
 型号:  BF1100WR
 标记/丝印/代码/打字:  MF
 厂家:  NXP/PHILIPS
 封装:  SOT-343/SC70-4
 批号:  05+
 库存数量:  1000
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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BF1100WR MF 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 14V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 13.2V
最大漏极电流Id Drain Current 30mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.3~1V
耗散功率Pd Power Dissipation 280mW/0.28W
Description & Applications Dual-gate MOS-FETs FEATURES ? Specially designed for use at 9 to 12 V supply voltage ? Short channel transistor with high forward transfer admittance to input capacitance ratio ? Low noise gain controlled amplifier up to 1 GHz ? Superior cross-modulation performance during AGC. APPLICATIONS ? VHF and UHF applications such as television tuners and professional communications equipment. DESCRIPTION Enhancement type field-effect transistor in a plastic microminiature SOT143 or SOT143R package. The transistor consists of an amplifier MOS-FET with source and substrate interconnected and an internal bias circuit to ensure good cross-modulation performance during AGC.
描述与应用 双栅MOS场效应管 特点 ?专为使用在9至12 V电源电压 ?短沟道晶体管输入电容比具有较高的正向传输导纳 ?低噪声增益控制放大器高达1 GHz ?高级交叉调制性能在AGC。 应用 ?VHF和UHF应用,如电视调谐器和专业的通信设备。 说明 增强型场效应晶体管在一个塑料的超小型SOT143或SOT143R包。该晶体管由MOS-FET源极和衬底的相互联系和内部偏置电路,以确保良好的交叉调制性能在AGC放大器。
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 相关型号列表

型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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