BF579 G7 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
?20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?20V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?25mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
1.75GHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
20~90 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-10V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
Silicon PNP Planar RF Transistor Applications UHF/VHF uncontrolled prestages with low noise and low cross modulation. Features High transition frequency Low distortion |
| 描述与应用 |
硅PNP平面RF晶体管 应用 UHF/ VHF不受控制的前置级低噪声和低交叉调制。 特点 高转换频率 低失真 |
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