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BF909WR
 型号:  BF909WR
 标记/丝印/代码/打字:  ME
 厂家:  NXP/PHILIPS
 封装:  SOT-343/SC70-4
 批号:  05/06 nopb
 库存数量:  9000
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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BF909WR ME 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 7V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current 40mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.3-1/0.3-1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications N-channel dual gate MOS-FETs VHF and UHF applications with 3 to 7 V supply voltage such as television tuners and professional communications equipment. FEATURES ? Specially designed for use at 5 V supply voltage ? High forward transfer admittance ? Short channel transistor with high forward transfer admittance to input capacitance ratio ? Low noise gain controlled amplifier up to 1 GHz ? Superior cross-modulation performance during AGC
描述与应用 N沟道双栅MOS场效应管 VHF和UHF的应用3到7 V电源电压 诸如电视调谐器和专业的通信设备 ?专为使用5 V电源电压 ?高正向转移导纳 ?具有较高的正向传输的短沟道晶体管 准入输入电容比 ?低噪声增益控制放大器高达1 GHz ?高级交叉调制性能在AGC
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