BFM505 NO 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
8V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
18mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
9000MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
60~250 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
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| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
500mW |
| Description & Applications |
Features ? Dual NPN wideband transistor ? Small size ? Temperature and hFE matched ? Low noise and high gain ? High gain at low current and low capacitance at low voltage ? Gold metallization ensures excellent reliability. APPLICATIONS ? Oscillator and buffer amplifiers ? Balanced amplifiers ? LNA/mixer. |
| 描述与应用 |
特点 ?双NPN宽带晶体管 ?小尺寸 ?温度和HFE匹配 ?低噪声和高增益 ?高增益低电流和低电容，在低电压 ?黄金金属确保卓越的可靠性。 应用 ?振荡器和缓冲放大器 ?平衡放大器 ?LNA/混频器。 |
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