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BFR92
 型号：  BFR92
 标记/丝印/代码/打字：  P1
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  40
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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BFR92 P1 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 20V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 15V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 25mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 5GHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 90
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc Power Dissipation 300mW/0.3W
Description & Applications NPN 5 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPN transistor in a plastic SOT23 envelope primarily intended for use in RF wideband amplifiers and scillators. The transistor features low intermodulation distortion and high power gain; due to its very high transition frequency, it also has excellent wideband properties and low noise up to high frequencies. PNP complement is BFT92.
描述与应用 5 GHz的宽带晶体管NPN 说明 主要是在射频宽带放大器scillators的用于NPN晶体管在一个塑料SOT23信封。晶体管具有低互调失真和高功率增益，由于其非常高的转换频率，它还具有优异的宽带性能和低噪声高频率。 PNP补充BFT92。
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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