BGB420 MB 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
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| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
3.5V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
30MA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
6GHZ |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
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| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
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| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
120MW/0.12W |
| Description & Applications |
* BGB420 Active Biased Transistor.
* For high gain low noise amplifiers.
* Ideal for wideband applications, cellular telephones,cordless telephones, SAT-TV and high frequency oscillators.
* Gma=17.5dB at 1.8GHz.
* Small SOT343 package.
* Current easy adjustable by an external resistor.
* Open collector output.
* Typical supply voltage: 1.4-3.3V.
* SIEGET*-25 technology. |
| 描述与应用 |
* BGB420有源偏置晶体管。
*对于高增益低噪声放大器。
*非常适于宽带应用，移动电话，无绳电话，卫星电视和高频率的振荡器。MA =17.5分贝为1.8GHz。
* 小型SOT343封装。
* 电流容易通过外部电阻可调。
* 集电极开路输出。
* 典型电源电压：1.4-3.3V。
* SIEGET*-25技术。 |
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