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BIC702MBZ-TL
 型号：  BIC702MBZ-TL
 标记/丝印/代码/打字：  BZ
 厂家：  HITACHI
 封装：  SOT-143/MPAK-4
 批号：  05+
 库存数量：  4500
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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BIC702MBZ-TL BZ 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 6V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 6V
最大漏极电流Id Drain Current 30mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.5-1.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications Bias Controlled Monolithic IC (No external DC biasing voltage on gate1.); To reduce using parts cost & PC board space. ? High |yfs| ;|yfs| = 29 mS typ. ( f = 1kHz) ? Low noise;NF = 1.0 dB typ. (at f = 200 MHz), NF = 1.6 dB typ. (at f = 900 MHz) ? Withstanding to ESD; Build in ESD absorbing diode. Withstand up to 200V at C = 200pF, Rs = 0 conditions. ? Provide mini mold package; MPAK-4 (SOT-143Rmod)
描述与应用 偏置控制单片IC（无外部直流偏置电压GATE1。）; 为了降低零部件的成本与PC板空间。 ?高|的YFS|; | YFS|= 29毫秒（典型值）。 （F =1kHz时） ?低噪音; NF= 1.0 dB（典型值）。 （F =200兆赫），NF= 1.6 dB（典型值）。 （在f=900兆赫） ?耐静电; 内置ESD吸收二极管。承受高达200V在C = 200pF，Rs = 0条件。 ?提供小型模具包; MPAK-4（SOT-143Rmod）
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