BS870-7 K70 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
250mA/0.25A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
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| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1.0-3.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
300mW/0.3W |
| Description & Applications |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low On-Resistance ? Low Gate Threshold Voltage ? Low Input Capacitance ? Fast Switching Speed ? Low Input/Output Leakage ? Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant "Green" Device (Notes 1 & 2) |
| 描述与应用 |
N-沟道增强型MOSFET 低导通电阻 ?低栅极阈值电压 ?低输入电容 ?开关速度快 ?低输入/输出漏 ?铅，卤素和无锑，符合RoHS标准的“绿色” 设备（附注1及2） |
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